IGBT
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）絕緣柵雙極晶體管是由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵場效應晶體管）組成的復合完全控制電壓驅動功率半導體器件，其具有兩個MOSFET。 GTR的高輸入阻抗和低導通電壓降的優點。 GTR飽和電壓降低，載流密度大，但驅動電流大; MOSFET驅動功率小，開關速度快，但導通電壓降大，且載流密度小。 IGBT結合了上述兩種器件的優點，具有低驅動功率和降低的飽和電壓。適用于直流電壓為600V及以上的轉換器系統，如交流電機、逆變器、開關電源、照明電路、牽引驅動和其他領域。
IGBT是一種十分重要的電力電子器件。它既有功率MOSFET驅動功率小、開關頻率高的優點，又有大功率晶體管導通電壓低、通態電流大的優點。它在任何時刻可關斷通態電流，避免了普通晶閘管在一個半波內只能導通不能關斷的弱點。在電力電子領域是一個十分有發展前途的大功率半導體器件。
IGBT這種新型功率半導體器件又稱絕緣柵雙極型晶體管，是功率半導體器件第三次技術革命的代表性產品，廣泛應用于軌道交通、航空航天、船舶驅動、智能電網、新能源、交流變頻、風力發電、電機傳動、汽車等強電控制等產業領域。它問世近三十年，已做到12吋硅晶片、6500伏的高水平。
“薄如蟬翼”的IGBT芯片
IGBT芯片發展趨勢是：薄片工藝，主要是減少熱阻，減小襯底電阻從而減小通態損耗[9];小管芯，主要是提高器件的電流密度，15年來管芯的 面積減少了2/3；大硅片，硅片由5英寸變為12英寸，面積增加了5.76倍，折算后每顆芯粒的成本可以大大的降低。
Infineon英飛凌專注于迎接現代社會的三大科技挑戰: 高能效、 移動性和 安全性，為汽車和工業功率器件、芯片和安全應用提供半導體和系統解決方案。英飛凌的產品素以高可靠性、卓越質量和創新性著稱。
英飛凌分別針對小、中、大功率應用而設計的三種IGBT4芯片
英飛凌IGBT4芯片技術：
?基于溝槽柵+場終止結構，1200V和1700V；
?1200V三種類型：小功率T4、中功率E4、大功率P4；
?1700V兩種類型：中功率E4、大功率P4；
?P4實現軟關斷特性的明顯提升，關斷時電壓尖峰小，無振蕩；
?T4和E4提高關斷速度，開關頻率較高時輸出能力優于T3和E3；
?配用反向恢復特性更"軟"的EmCon4續流二極管；
?飽和電壓正溫度系數，10 μs短路承受時間不變。
英飛凌IGBT芯片選型（以下芯片如有需要，請聯系我司相關人員）
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